НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Кириченко Данил Владимирович
Подать статью
Последние выпуски
Кириченко Данил Владимирович

Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А. Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Ерёменко М.М. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 12
  • 2618
  • Страницы: 36-41

Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью

Физика конденсированного состояния
Балакирев С.В. Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Ерёменко М.М. Солодовник М.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 9
  • 2718
  • Страницы: 42-47

Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
Черненко Н.Е. Кириченко Д.В. Шандыба Н.А. Балакирев С.В. Ерёменко М.М. Солодовник М.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 13
  • 2560
  • Страницы: 48-53

Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка

Физическое материаловедение
Балакирев С.В. Лахина Е.А. Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Ерёменко М.М. Солодовник М.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 16
  • 2661
  • Страницы: 315-319

Капельная эпитаксия селективно-позиционированных наноструктур In/GaAs(001) с переменным дистанцированием: эксперимент и моделирование

Физика конденсированного состояния
Балакирев С.В. Кириченко Д.В. Шандыба Н.А. Черненко Н.Е. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 1565
  • Страницы: 41-46

Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек

Физика конденсированного состояния
Лахина Е.А. Шандыба Н.А. Черненко Н.Е. Кириченко Д.В. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 31
  • 1868
  • Страницы: 53-58

Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
Черненко Н.Е. Махов И.С. Балакирев С.В. Кириченко Д.В. Шандыба Н.А. Крыжановская Н.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 1558
  • Страницы: 64-68

Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности

Физика конденсированного состояния
Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 1621
  • Страницы: 74-78

Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs

Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А. Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Шаров В.А. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 1645
  • Страницы: 79-83

Влияние условий отжига на характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными пучками на поверхности GaAs(111)

Физика конденсированного состояния
Лахина Е.А. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Кириченко Д.В. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 141
  • Страницы: 58-62

Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
Кириченко Д.В. Махов И.С. Балакирев С.В. Крыжановская Н.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 139
  • Страницы: 79-83