Кириченко  Данил  Владимирович
Кириченко Данил Владимирович

Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si (111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 15
  • 5111
  • Страницы: 36-41

Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 12
  • 5305
  • Страницы: 42-47

Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 17
  • 4954
  • Страницы: 48-53

Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 19
  • 5107
  • Страницы: 315-319

Капельная эпитаксия селективно-позиционированных наноструктур In/GaAs (001) с переменным дистанцированием: эксперимент и моделирование

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 20
  • 4112
  • Страницы: 41-46

Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 38
  • 4637
  • Страницы: 53-58

Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 3912
  • Страницы: 64-68

Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 4099
  • Страницы: 74-78

Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si (111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 16
  • 4136
  • Страницы: 79-83

Влияние условий отжига на характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными пучками на поверхности GaAs (111)

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 2775
  • Страницы: 58-62

Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 2649
  • Страницы: 79-83

Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si (111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 182
  • Страницы: 19-22

Локализованное формирование капель Ga на нанопрофилированных подложках кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 1
  • 139
  • Страницы: 57-59

Формирование упорядоченных квантовых точек InAs на структурированных поверхностях GaAs (111)B

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 1
  • 144
  • Страницы: 115-118