НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки
Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
Найти
О журнале
Меню
Редакционная коллегия
Главный редактор
Архив выпусков
Авторам
Меню
Содержание и структура статьи
Оформление статьи
Этика научных публикаций
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Аннотация к статье
Список литературы
Лицензионное соглашение
График выхода журналов
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
Кириченко Данил Владимирович
Подать статью
Последние выпуски
2024
,
Том 17
Выпуск 4
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 3.2
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 3.1
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 3
Полный текст
Кириченко Данил Владимирович
dankir@sfedu.ru
Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А.
Кириченко Д.В.
Черненко Н.Е.
Ерёменко М.М.
Балакирев С.В.
Солодовник М.С.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3
12
2850
Страницы: 36-41
Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью
Физика конденсированного состояния
Балакирев С.В.
Кириченко Д.В.
Черненко Н.Е.
Шандыба Н.А.
Ерёменко М.М.
Солодовник М.С.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3
9
2932
Страницы: 42-47
Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком
Физика конденсированного состояния
Черненко Н.Е.
Кириченко Д.В.
Шандыба Н.А.
Балакирев С.В.
Ерёменко М.М.
Солодовник М.С.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3
13
2760
Страницы: 48-53
Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка
Физическое материаловедение
Балакирев С.В.
Лахина Е.А.
Кириченко Д.В.
Черненко Н.Е.
Шандыба Н.А.
Ерёменко М.М.
Солодовник М.С.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3
16
2883
Страницы: 315-319
Капельная эпитаксия селективно-позиционированных наноструктур In/GaAs(001) с переменным дистанцированием: эксперимент и моделирование
Физика конденсированного состояния
Балакирев С.В.
Кириченко Д.В.
Шандыба Н.А.
Черненко Н.Е.
Солодовник М.С.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.1
17
1815
Страницы: 41-46
Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек
Физика конденсированного состояния
Лахина Е.А.
Шандыба Н.А.
Черненко Н.Е.
Кириченко Д.В.
Балакирев С.В.
Солодовник М.С.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.1
32
2130
Страницы: 53-58
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
Физика конденсированного состояния
Черненко Н.Е.
Махов И.С.
Балакирев С.В.
Кириченко Д.В.
Шандыба Н.А.
Крыжановская Н.В.
Солодовник М.С.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.1
15
1787
Страницы: 64-68
Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности
Физика конденсированного состояния
Кириченко Д.В.
Черненко Н.Е.
Шандыба Н.А.
Балакирев С.В.
Солодовник М.С.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.1
18
1876
Страницы: 74-78
Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs
Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А.
Кириченко Д.В.
Черненко Н.Е.
Шаров В.А.
Балакирев С.В.
Солодовник М.С.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.1
13
1873
Страницы: 79-83
Влияние условий отжига на характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными пучками на поверхности GaAs(111)
Физика конденсированного состояния
Лахина Е.А.
Черненко Н.Е.
Шандыба Н.А.
Кириченко Д.В.
Балакирев С.В.
Солодовник М.С.
Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.1
3
427
Страницы: 58-62
Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках
Физика конденсированного состояния
Кириченко Д.В.
Махов И.С.
Балакирев С.В.
Крыжановская Н.В.
Солодовник М.С.
Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.1
7
442
Страницы: 79-83
Сообщить автору об опечатке:
Адрес страницы с ошибкой:
Текст с ошибкой:
Ваш комментарий или корректная версия: