НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
ru Русский
Версия для слабовидящих
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
Автор Иванов Антон Евгеньевич
Подать статью
Последние выпуски
Иванов Антон Евгеньевич

Комплексное исследование распределения светового и температурного полей в мощных AlInGaN светодиодах конструкции «UX:3»

Физическая электроника
Иванов А.Е. Аладов А.В. Черняков А.Е. Закгейм А.Л.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 15
  • 3369
  • Страницы: 142-146

Комплексное исследование энергетических возможностей светодиодов UV-C в импульсном и непрерывном режимах

Физика конденсированного состояния
Иванов А.Е. Черняков А.Е. Закгейм А.Л.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 10
  • 2734
  • Страницы: 167-171

Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Тальнишних Н.А. Иванов А.Е. Шабунина Е.И. Шмидт Н.П.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 17
  • 2752
  • Страницы: 85-89

Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Иванов А.Е. Тальнишних Н.А. Черняков А.Е. Закгейм А.Л.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 26
  • 3115
  • Страницы: 170-175

Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Солдатенков Федор Юрьевич Иванов А.Е. Малевский Д.А. Левин С.В.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 1695
  • Страницы: 155-159

Конкурирующие процессы в нитридных твёрдых растворах светодиодов с множественными квантовыми ямами

Физическая электроника
Иванов А.Е. Черняков А.Е. Тальнишних Н.А. Шабунина Е.И. Шмидт Н.П.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 665
  • Страницы: 177-181

Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Солдатенков Федор Юрьевич Пуговкин А.А. Иванов А.Е. Малевский Д.А. Левин С.В.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 4
  • 122
  • Страницы: 140-144

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: