Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 30
- 5049
- Страницы: 75-79
Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 48
- 4748
- Страницы: 114-120
Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 13
- 3932
- Страницы: 255-260
Потенциально гибкий сенсор на основе матрицы ZnO-ПДМС для измерения механической нагрузки
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 37
- 3303
- Страницы: 137-142
Сенсоры давления и температуры на основе мембраны ZnO-ПДМС для носимой электроники
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 30
- 2609
- Страницы: 63-67
Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 18
- 2764
- Страницы: 306-309
Рост нитевидных нанокристаллов GaN с вставками InN с помощью МПЭ-ПА
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 58
- Страницы: 139-142
Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111)
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 49
- Страницы: 152-155
Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 2
- 52
- Страницы: 278-282
Влияние кратковременного нагрева на морфологию микроструктур AlF3
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 53
- Страницы: 283-286