Моисеев Эдуард Ильмирович
  • Место работы
    Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербургский филиал
  • Публикации

Исследование картин дальнего поля полупроводниковых микролазеров с активной областью на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 49
  • 3407
  • Страницы: 25-30

Анализ характеристик InGaAs/GaAs микродисковых лазеров перенесенных на кремниевую подложку

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 27
  • 2670
  • Страницы: 163-166

Исследование оптической связи микролазеров с утоненным волокном

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 20
  • 3017
  • Страницы: 167-170

Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 17
  • 2582
  • Страницы: 260-264

Интегральный оптический трансивер на базе III-V микродискового лазера и фотодиода

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 23
  • 2639
  • Страницы: 371-375

Тепловые характеристики микролазеров III-V, перенесенных на кремниевую подложку

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 22
  • 2233
  • Страницы: 108-113

Микрокольцевые лазеры с волноводным ответвителем

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 43
  • 2362
  • Страницы: 126-132

Создание оптических изолированных микрорезонаторов GaP(NAs) на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 9
  • 345
  • Страницы: 25-35