Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Моисеев Эдуард Ильмирович
Место работы
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербургский филиал
Публикации
Orcid ID
0000-0003-3686-935X
Исследование картин дальнего поля полупроводниковых микролазеров с активной областью на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 60
- 6351
- Страницы: 25-30
Анализ характеристик InGaAs/GaAs микродисковых лазеров перенесенных на кремниевую подложку
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 31
- 4925
- Страницы: 163-166
Исследование оптической связи микролазеров с утоненным волокном
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 26
- 5530
- Страницы: 167-170
Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 21
- 5127
- Страницы: 260-264
Интегральный оптический трансивер на базе III-V микродискового лазера и фотодиода
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 27
- 4944
- Страницы: 371-375
Тепловые характеристики микролазеров III-V, перенесенных на кремниевую подложку
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 33
- 4533
- Страницы: 108-113
Микрокольцевые лазеры с волноводным ответвителем
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 57
- 4752
- Страницы: 126-132
Утечка мод в подложку в микродисковых лазерах
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 18
- 2293
- Страницы: 212-216
Создание оптических изолированных микрорезонаторов GaP (NAs) на кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3
- 32
- 3317
- Страницы: 25-35
Исследование микродисковых лазеров с InGaN/GaN квантовой ямой в активной области при повышенных температурах
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 68
- Страницы: 125-128
Оптические свойства дисковых микрорезонаторов на основе широкозонных III-N материалов
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 1
- 57
- Страницы: 209-213