Николаев Андрей Евгеньевич
Николаев Андрей Евгеньевич
194021, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26

Влияние концентрации алюминия в барьерном слое на свойства светодиодов зеленого диапазона на основе нитрида индия-галлия-алюминия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 357
  • 8676
  • Страницы: 31-36

Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 25
  • 4864
  • Страницы: 21-24

Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 30
  • 3996
  • Страницы: 380-384

Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 30
  • 3886
  • Страницы: 50-54

Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 16
  • 3074
  • Страницы: 46-51