Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Влияние концентрации алюминия в барьерном слое на свойства светодиодов зеленого диапазона на основе нитрида индия-галлия-алюминия
- Год: 2013
- Выпуск: 4
- 357
- 8932
- Страницы: 31-36
Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 26
- 5168
- Страницы: 21-24
Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 31
- 4332
- Страницы: 380-384
Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 30
- 4223
- Страницы: 50-54
Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 20
- 3434
- Страницы: 46-51
Исследование микродисковых лазеров с InGaN/GaN квантовой ямой в активной области при повышенных температурах
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 68
- Страницы: 125-128
Измерение толщины барьерного слоя в гетероструктурах AlGaN/GaN методом спектроскопии оптического отражения: сравнение с рентгеновской рефлектометрией
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 2
- 75
- Страницы: 143-147
Оптические свойства дисковых микрорезонаторов на основе широкозонных III-N материалов
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 1
- 58
- Страницы: 209-213