Черняков Антон Евгеньевич
  • Место работы
    Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН
  • 194021, Россия, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

Динамически управляемые светодиодные источники света для новых технологий освещения

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2014
  • Выпуск: 4
  • 467
  • 7116
  • Страницы: 38-47

Тепловое сопротивление и неоднородность распределения электролюминесценции и температуры в мощных AlGaInN-светодиодax

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2015
  • Выпуск: 2
  • 351
  • 6734
  • Страницы: 74-83

Исследование теплового режима в мощных светодиодных матрицах

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 3
  • 32
  • 7385
  • Страницы: 39-51

Аппаратно-программный комплекс для определения функционального состояния человека при воздействии света с варьируемыми спектрально-цветовыми характеристиками

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2019
  • Том: 12
  • Выпуск: 3
  • 45
  • 6050
  • Страницы: 63-77

Оптимизация освещения операционного поля с целью получения максимального контраста при визуализации биологических объектов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2019
  • Том: 12
  • Выпуск: 4
  • 42
  • 6266
  • Страницы: 79-88

Комплексное исследование распределения светового и температурного полей в мощных AlInGaN светодиодах конструкции «UX:3»

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 14
  • 2640
  • Страницы: 142-146

Распределение температуры в микрооптопарах на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 19
  • 2217
  • Страницы: 119-125

Комплексное исследование энергетических возможностей светодиодов UV-C в импульсном и непрерывном режимах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 2071
  • Страницы: 167-171

Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 23
  • 2376
  • Страницы: 70-76

Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 25
  • 2420
  • Страницы: 170-175