Черняков Антон Евгеньевич
  • Место работы
    Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН
  • 194021, Россия, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

Динамически управляемые светодиодные источники света для новых технологий освещения

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2014
  • Выпуск: 4
  • 464
  • 6426
  • Страницы: 38-47

Тепловое сопротивление и неоднородность распределения электролюминесценции и температуры в мощных AlGaInN-светодиодax

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2015
  • Выпуск: 2
  • 347
  • 6084
  • Страницы: 74-83

Исследование теплового режима в мощных светодиодных матрицах

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 3
  • 27
  • 6714
  • Страницы: 39-51

Аппаратно-программный комплекс для определения функционального состояния человека при воздействии света с варьируемыми спектрально-цветовыми характеристиками

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2019
  • Том: 12
  • Выпуск: 3
  • 40
  • 5380
  • Страницы: 63-77

Оптимизация освещения операционного поля с целью получения максимального контраста при визуализации биологических объектов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2019
  • Том: 12
  • Выпуск: 4
  • 39
  • 5552
  • Страницы: 79-88

Комплексное исследование распределения светового и температурного полей в мощных AlInGaN светодиодах конструкции «UX:3»

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 8
  • 2009
  • Страницы: 142-146

Распределение температуры в микрооптопарах на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 13
  • 1558
  • Страницы: 119-125

Комплексное исследование энергетических возможностей светодиодов UV-C в импульсном и непрерывном режимах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 1462
  • Страницы: 167-171

Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 19
  • 1713
  • Страницы: 70-76

Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 23
  • 1783
  • Страницы: 170-175