Статьи по ключевому слову "фосфид галлия"

Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 6
  • 449
  • Страницы: 275-278

Численное исследование влияния геометрии нитевидных нанокристаллов GaP на эффективность экстракции света в красном светодиоде

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 11
  • 485
  • Страницы: 84-87

Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 676
  • Страницы: 199-203

Модовый анализ оптических микрорезонаторов GaP

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 10
  • 730
  • Страницы: 115-119

Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 36
  • 1864
  • Страницы: 120-133

Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 16
  • 1517
  • Страницы: 125-130

Фоточувствительные наноструктуры на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и углеродных точек

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 45
  • 1620
  • Страницы: 113-118

На пути к универсальной фотонике, основанной на нитевидных нанокристаллах GaP, декорированных углеродными точками

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 2255
  • Страницы: 187-192

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: