Гусева Юлия Александровна

Анализ характеристик InGaAs/GaAs микродисковых лазеров перенесенных на кремниевую подложку

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 31
  • 3579
  • Страницы: 163-166

Исследование оптической связи микролазеров с утоненным волокном

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 25
  • 4079
  • Страницы: 167-170

Интегральный оптический трансивер на базе III-V микродискового лазера и фотодиода

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 26
  • 3550
  • Страницы: 371-375

Тепловые характеристики микролазеров III-V, перенесенных на кремниевую подложку

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 31
  • 3208
  • Страницы: 108-113

Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия

Новые материалы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 25
  • 2996
  • Страницы: 182-187

Влияние сульфидно-полиамидной пассивации на темновые токи InAlAs/InGaAs/InP лавинных фотодиодов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 22
  • 2498
  • Страницы: 352-356

Вертикально-излучающие лазеры для компактных атомных сенсоров

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 26
  • 2808
  • Страницы: 16-22

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: