Ерёменко  Михаил  Михайлович
Ерёменко Михаил Михайлович

Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si (111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 15
  • 5111
  • Страницы: 36-41

Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 12
  • 5305
  • Страницы: 42-47

Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 17
  • 4954
  • Страницы: 48-53

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 24
  • 5044
  • Страницы: 54-58

Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 23
  • 5030
  • Страницы: 59-63

Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 19
  • 5107
  • Страницы: 315-319

Влияние плазмохимической обработки подложек Si (001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 4044
  • Страницы: 122-127

Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si (111)

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 19
  • 2652
  • Страницы: 28-33

Комбинированный подход к созданию шаблона на подложке SiO2/Si с использованием ионных пучков и жидкостного травления

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 2545
  • Страницы: 75-78

Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si (111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 183
  • Страницы: 19-22

Локализованное формирование капель Ga на нанопрофилированных подложках кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 1
  • 139
  • Страницы: 57-59

Формирование упорядоченных квантовых точек InAs на структурированных поверхностях GaAs (111)B

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 1
  • 144
  • Страницы: 115-118