Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si (111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 15
- 4723
- Страницы: 36-41
Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 12
- 4919
- Страницы: 42-47
Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 17
- 4546
- Страницы: 48-53
Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 23
- 4688
- Страницы: 54-58
Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 23
- 4645
- Страницы: 59-63
Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 18
- 4739
- Страницы: 315-319
Влияние плазмохимической обработки подложек Si (001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 21
- 3684
- Страницы: 122-127
Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si (111)
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 17
- 2267
- Страницы: 28-33
Комбинированный подход к созданию шаблона на подложке SiO2/Si с использованием ионных пучков и жидкостного травления
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 13
- 2168
- Страницы: 75-78