Устинов Виктор Михайлович
  • Место работы
    НТЦ микроэлектроники РАН
  • Санкт-Петербург, Российская Федерация

Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 24
  • 3211
  • Страницы: 21-24

Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 38
  • 2766
  • Страницы: 456-462

Влияние сульфидно-полиамидной пассивации на темновые токи InAlAs/InGaAs/InP лавинных фотодиодов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 1885
  • Страницы: 352-356

Вертикально-излучающие лазеры для компактных атомных сенсоров

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 20
  • 2131
  • Страницы: 16-22

Ширина линии излучения и α-фактор вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 мкм на основе сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 32
  • 1999
  • Страницы: 9-15

Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 18
  • 1476
  • Страницы: 165-170

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: