Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Устинов Виктор Михайлович
Место работы
НТЦ микроэлектроники РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 25
- 4864
- Страницы: 21-24
Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In (Al)GaAs КЯ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 44
- 4426
- Страницы: 456-462
Влияние сульфидно-полиамидной пассивации на темновые токи InAlAs/InGaAs/InP лавинных фотодиодов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 26
- 3604
- Страницы: 352-356
Вертикально-излучающие лазеры для компактных атомных сенсоров
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 27
- 3960
- Страницы: 16-22
Ширина линии излучения и α-фактор вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 мкм на основе сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 34
- 3816
- Страницы: 9-15
Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 23
- 3033
- Страницы: 165-170