Мынбаев Карим Джафарович
  • 194021, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26

Энергетический спектр и оптические переходы в наногетероструктурах на основе твердых растворов теллурида кадмия и ртути

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 7536
  • Страницы: 69-73

Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 8
  • 2987
  • Страницы: 191-195

Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 27
  • 1815
  • Страницы: 77-82

Фотолюминесценция самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов InAs, разбавленных азотом

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 9
  • 1016
  • Страницы: 34-37

Оптические характеристики пленок Hg0.7Cd0.3Te со стравленным поверхностным варизонным слоем

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 7
  • 304
  • Страницы: 34-39

Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb–светодиодов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 291
  • Страницы: 105-110

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: