Статьи из рубрики "Объемные свойства полупроводников"

Неидеальная экспериментально наблюдаемая фаза Берри в монокристалле топологического изолятора Bi2Se3

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 27
  • 729
  • Страницы: 11-16

Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 29
  • 655
  • Страницы: 6-10

Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 22
  • 2220
  • Страницы: 31-36

Разрушение проводящего состояния переменным электрическим полем в комплексах нафталоцианинов

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 17
  • 2050
  • Страницы: 25-30

Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 14
  • 2270
  • Страницы: 20-24

Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 49
  • 2370
  • Страницы: 12-19

Спин-зависимое фотонное эхо для ансамбля трехуровневых систем

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 40
  • 2203
  • Страницы: 6-11

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 21
  • 3316
  • Страницы: 33-38

Магнитосопротивление и эффект Холла в полуметалле Вейля WTe2

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 98
  • 3634
  • Страницы: 26-32

Изучение свойств ядерной спиновой системы объемных слоев n-GaAs методом спектроскопии отогрева

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 32
  • 3598
  • Страницы: 20-25

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 38
  • 3097
  • Страницы: 14-19

Аналитический и численный расчеты магнитных свойств системы неупорядоченных спинов в модели Изинга

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 44
  • 3181
  • Страницы: 7-13

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: