Статьи по ключевому слову "светоизлучающие диоды"

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 33
  • 1217
  • Страницы: 179-184

Влияние концентрации алюминия в барьерном слое  на свойства светодиодов зеленого диапазона на основе нитрида индия-галлия-алюминия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 356
  • 5833
  • Страницы: 31-36

Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5472
  • Страницы: 32-36