Статьи по ключевому слову "светоизлучающие диоды"
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 54
- 3245
- Страницы: 179-184
Влияние концентрации алюминия в барьерном слое на свойства светодиодов зеленого диапазона на основе нитрида индия-галлия-алюминия
- Год: 2013
- Выпуск: 4
- 356
- 7455
- Страницы: 31-36
Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 0
- 7096
- Страницы: 32-36