Статьи по ключевому слову "ионный пучок"
Инжекционные торцевые микролазеры с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 8
- 771
- Страницы: 29-32
Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si(111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 11
- 900
- Страницы: 19-22
Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si(111)
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 20
- 3306
- Страницы: 28-33
Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 17
- 4804
- Страницы: 79-83
Изготовление наноразмерных структур методом ионно-стимулированного осаждения материалов и изучение их электрических свойств
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 9
- 5123
- Страницы: 218-223
Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 23
- 5655
- Страницы: 59-63
Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 24
- 5650
- Страницы: 54-58
Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 19
- 5700
- Страницы: 48-53
Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 16
- 5801
- Страницы: 36-41
Влияние начального рельефа поверхности Si на формирование рипплов при облучении ионами O2+
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 32
- 6346
- Страницы: 8-12