Статьи по ключевому слову "дефекты"

Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 863
  • Страницы: 251-255

Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 21
  • 2099
  • Страницы: 160-164

Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 31
  • 2188
  • Страницы: 49-54

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 2278
  • Страницы: 43-48

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 21
  • 3215
  • Страницы: 33-38

Вольт-амперные характеристики Cr/SiC(4H) диодов Шоттки

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 19
  • 3106
  • Страницы: 83-89

Влияние пика Брэгга на электрические характеристики кремниевых детекторов, облученных ионами 40Ar средней энергии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 7
  • 2898
  • Страницы: 416-421

Влияние высоко-скоростной неравновесности на структурно-морфологические и магнитные свойства быстрозакаленного сплава Co58Ni10Fe5Si11B16

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 4005
  • Страницы: 155-161

Радиационные дефекты частиц оксида цинка в форме звезды и цветка

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 4259
  • Страницы: 101-106

Самоорганизация радиационных дефектов в неорганических диэлектриках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7343
  • Страницы: 7-10

Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7534
  • Страницы: 49-55

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: