Статьи по ключевому слову "дефекты"
Модель Изинга на решетках Фибоначчи: кольцевая топология сферы, кольцо с разрезом и тор
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4.1
- 1
- 184
- Страницы: 31-36
Исследование емкостных характеристик многослойных структур GaN/InP
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 2
- 300
- Страницы: 258-262
Построение профиля и определение геометрических параметров поверхности катания железнодорожного колеса с помощью лазерного профилометра
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 5
- 293
- Страницы: 214-221
Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 11
- 2320
- Страницы: 251-255
Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 26
- 3599
- Страницы: 160-164
Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 37
- 3713
- Страницы: 49-54
Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 3914
- Страницы: 43-48
Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 23
- 4715
- Страницы: 33-38
Вольт-амперные характеристики Cr/SiC(4H) диодов Шоттки
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 20
- 4679
- Страницы: 83-89
Влияние пика Брэгга на электрические характеристики кремниевых детекторов, облученных ионами 40Ar средней энергии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 9
- 4363
- Страницы: 416-421
Влияние высоко-скоростной неравновесности на структурно-морфологические и магнитные свойства быстрозакаленного сплава Co58Ni10Fe5Si11B16
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 17
- 5665
- Страницы: 155-161
Радиационные дефекты частиц оксида цинка в форме звезды и цветка
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 19
- 5782
- Страницы: 101-106
Самоорганизация радиационных дефектов в неорганических диэлектриках
- Год: 2009
- Выпуск: 2
- 0
- 8814
- Страницы: 7-10
Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 0
- 9109
- Страницы: 49-55