НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "дефекты"

    Влияние профиля траншеи из диоксида кремния на фоточувствительность КМОП-совместимого лавинного фотодиода видимого диапазона

    Математическое моделирование физических процессов
    Долженко Д.И.Леткиман Е.Д.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 2
    • 10
    • 448
    • Страницы: 57-67

    Модель Изинга на решетках Фибоначчи: кольцевая топология сферы, кольцо с разрезом и тор

    Физика конденсированного состояния
    Починок А.С.Молочков А.В.Чернодуб М.Н.Чепак А.К.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4.1
    • 5
    • 1159
    • Страницы: 31-36

    Исследование емкостных характеристик многослойных структур GaN/InP

    Физическое материаловедение
    Михайлов О.П.Баранов А.И.Поздеев В.А. Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 10
    • 1188
    • Страницы: 258-262

    Построение профиля и определение геометрических параметров поверхности катания железнодорожного колеса с помощью лазерного профилометра

    Физическая оптика
    Аринушкина К.Г.Савельев И.Ю.Давыдов В.В.Ададуров А.С.Цомаев П.И.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 9
    • 1205
    • Страницы: 214-221

    Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов

    Физическая оптика
    Михайлов О.П.Баранов А.И.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.Шварц М.З.Теруков Е.И.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 15
    • 3237
    • Страницы: 251-255

    Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Михайлов О.П.Баранов А.И.Гудовских А.С.Теруков Е.И.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 32
    • 4629
    • Страницы: 160-164

    Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Гогина О.А.Петров Ю.В.Вывенко О.Ф.Ковальчук С.Болотин К.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 40
    • 4678
    • Страницы: 49-54

    Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Осинных И.В.Малин Т.В.Милахин Д.С.Журавлев К.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 29
    • 4886
    • Страницы: 43-48

    Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

    Объемные свойства полупроводников
    Осинных И.В.Малин Т.В.Журавлев К.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 25
    • 5690
    • Страницы: 33-38

    Вольт-амперные характеристики Cr/SiC(4H) диодов Шоттки

    Физическая электроника
    Стрельчук А.М.Калинина Е.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 21
    • 5570
    • Страницы: 83-89

    Влияние пика Брэгга на электрические характеристики кремниевых детекторов, облученных ионами 40Ar средней энергии

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Митина Д.Д.Вербицкая Е.М.Фадеева Н.Н.Еремин И.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 13
    • 5241
    • Страницы: 416-421

    Влияние высоко-скоростной неравновесности на структурно-морфологические и магнитные свойства быстрозакаленного сплава Co58Ni10Fe5Si11B16

    Физическое материаловедение
    Фролов А.М.Писаренко Т.А.Крайнова Г.С.Ильин Н.В.Ралин А.Ю.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.1
    • 20
    • 6577
    • Страницы: 155-161

    Радиационные дефекты частиц оксида цинка в форме звезды и цветка

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Дудин А.Н.Юрина В.Ю.Нещименко В.В.Ли Ч.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.1
    • 20
    • 6699
    • Страницы: 101-106

    Самоорганизация радиационных дефектов в неорганических диэлектриках

    Физика конденсированного состояния
    Ванина Е.А.Рокосей В.А.Веселова Е.М.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9596
    • Страницы: 7-10

    Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами

    Физика конденсированного состояния
    Карасёв П.А.Титов А.И.Улла М.В.Джурабекова Ф.Куронен А.Нордлунд К.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9930
    • Страницы: 49-55