Малеев Николай Анатольевич
  • Место работы
    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
  • Санкт-Петербург, Российская Федерация
  • Публикации

Влияние сульфидно-полиамидной пассивации на темновые токи InAlAs/InGaAs/InP лавинных фотодиодов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 1905
  • Страницы: 352-356

Вертикально-излучающие лазеры для компактных атомных сенсоров

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 20
  • 2149
  • Страницы: 16-22

Ширина линии излучения и α-фактор вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 мкм на основе сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 32
  • 2023
  • Страницы: 9-15

Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 12
  • 2090
  • Страницы: 50-55

Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 18
  • 1493
  • Страницы: 165-170

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: