Соболев Максим Сергеевич
  • Место работы
    Академический университет им. Ж.И. Алферова
  • Санкт-Петербург, Российская Федерация
  • Публикации

Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 2075
  • Страницы: 133-137

Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 485
  • Страницы: 182-186

Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 6
  • 444
  • Страницы: 275-278

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: