Соболев  Максим  Сергеевич
Соболев Максим Сергеевич
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Публикации

Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 8
  • 3135
  • Страницы: 133-137

Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 19
  • 1490
  • Страницы: 182-186

Исследование слоев GaPN (As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 11
  • 1557
  • Страницы: 275-278