Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Соболев Максим Сергеевич
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Публикации
Orcid ID
0000-0001-8629-2064
Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 8
- 3135
- Страницы: 133-137
Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 19
- 1490
- Страницы: 182-186
Исследование слоев GaPN (As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 11
- 1557
- Страницы: 275-278