Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Малевский Дмитрий Андреевич
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Энергоинформационное фотоприемное устройство
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 16
- 4273
- Страницы: 160-164
Высокотемпературные высоковольтные p-i-n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 14
- 2738
- Страницы: 155-159
Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1
- 53
- 3804
- Страницы: 9-20
Оптимизация параметров фронтальной контактной сетки фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 8
- 2996
- Страницы: 111-116
Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p-i-n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 6
- 3097
- Страницы: 140-144