Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Малевский Дмитрий Андреевич
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Энергоинформационное фотоприемное устройство
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 16
- 4640
- Страницы: 160-164
Высокотемпературные высоковольтные p-i-n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 14
- 3089
- Страницы: 155-159
Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1
- 56
- 4308
- Страницы: 9-20
Оптимизация параметров фронтальной контактной сетки фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 10
- 3388
- Страницы: 111-116
Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p-i-n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 6
- 3484
- Страницы: 140-144