Мельниченко Иван Алексеевич

Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 19
  • 3151
  • Страницы: 260-264

Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 27
  • 2912
  • Страницы: 22-27

Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 39
  • 2939
  • Страницы: 456-462

Микрокольцевые лазеры с волноводным ответвителем

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 50
  • 2920
  • Страницы: 126-132

Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 7
  • 2019
  • Страницы: 255-260

Формирование квантовых точек путем осаждения InGaAs на структурированную поверхность GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 712
  • Страницы: 38-42

Утечка мод в подложку в микродисковых лазерах

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 5
  • 472
  • Страницы: 212-216

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: