Мохов Дмитрий Владимирович

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 28
  • 3056
  • Страницы: 157-162

Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 10
  • 1824
  • Страницы: 439-443

Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 530
  • Страницы: 220-223

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: