Артеев  Дмитрий  Сергеевич
Артеев Дмитрий Сергеевич

Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 26
  • 5168
  • Страницы: 21-24

Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 31
  • 4332
  • Страницы: 380-384

Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 20
  • 3434
  • Страницы: 46-51

Исследование микродисковых лазеров с InGaN/GaN квантовой ямой в активной области при повышенных температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 68
  • Страницы: 125-128

Измерение толщины барьерного слоя в гетероструктурах AlGaN/GaN методом спектроскопии оптического отражения: сравнение с рентгеновской рефлектометрией

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 75
  • Страницы: 143-147