Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
Авторы:
Аннотация:
В работе представлены результаты экспериментальных исследований физических свойств InGaAs КТ в AlGaAs ННК, синтезированных на кремнии при различных температурах. Результаты исследований показали, что, как и ожидалось, снижение температуры роста приводит к увеличению мольной доли индия в твердом растворе InGaAs КТ. При этом количество дефектов в КТ значительно возрастает из-за увеличения несоответствия параметров кристаллических решеток ННК и КТ.