Василькова  Елена  Игоревна
Василькова Елена Игоревна
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Санкт-Петербург, Российская Федерация

Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 10
  • 3890
  • Страницы: 133-137

Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 24
  • 2274
  • Страницы: 182-186

Структурные и морфологические особенности гетероструктур InGaAs/InP фотодетекторов с длиной волны отсечки 2.5 мкм с различным профилем метаморфного буферного слоя

Физическая электроника
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 0
  • 2
  • Страницы: 172-177