НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Эннс Яков Борисович
Подать статью
Последние выпуски
Эннс Яков Борисович
Эннс Яков Борисович

Влияние наночастиц благородных металлов на магнетронное распыление оксидов переходных металлов

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Кондратьева А.С. Комаревцев И.М. Эннс Я.Б. Казакин А.Н. Мишин М.В.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 13
  • 4727
  • Страницы: 86-90

Изготовление и исследование УФ — фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
Казакин А.Н. Эннс Я.Б. Уваров А.В. Никитина Е.В.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 28
  • 4833
  • Страницы: 145-149

Малоиндукционный интегральный нагреватель для термостатирования МЭМС газовой ячейки

Физическая электроника
Кенесбай Р. Эннс Я.Б. Казакин А.Н. Клейманов Р. Акульшин Ю.Д.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 30
  • 4766
  • Страницы: 147-150

Модификация оптических и электрических свойств пленок NiO с примененим термического отжига

Физическое материаловедение
Эннс Я.Б. Казакин А.Н. Комаревцев И.М. Вячеславова Е.А. Кондратьева А.С. Мишин М.В.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 17
  • 4805
  • Страницы: 285-289

Фотокаталитические свойства плазмонного нанокомпозита NiO — золото

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Кондратьева А.С. Комаревцев И.М. Эннс Я.Б. Казакин А.Н. Питиримова Е.А. Студзинский В.М. Мишин М.В. Карасёв П.А.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 3512
  • Страницы: 310-315

Микроэлектромеханический газовый датчик резистивного типа для определения низких концентраций сероводорода

Физическая электроника
Лаздин И.А. Кондратьева А.С. Комаревцев И.М. Эннс Я.Б. Казакин А.Н. Карасёв П.А.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 19
  • 2221
  • Страницы: 182-185

Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Шубина К.Ю. Синицкая О.А. Эннс Я.Б. Мизеров А.М. Никитина Е.В.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 3020
  • Страницы: 100-104