Зубов Федор И.

Исследование картин дальнего поля полупроводниковых микролазеров с активной областью на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 54
  • 4466
  • Страницы: 25-30

Анализ характеристик InGaAs/GaAs микродисковых лазеров перенесенных на кремниевую подложку

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 30
  • 3401
  • Страницы: 163-166

Интегральный оптический трансивер на базе III-V микродискового лазера и фотодиода

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 25
  • 3370
  • Страницы: 371-375

Тепловые характеристики микролазеров III-V, перенесенных на кремниевую подложку

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 30
  • 3039
  • Страницы: 108-113

Микрокольцевые лазеры с волноводным ответвителем

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 53
  • 3203
  • Страницы: 126-132

Детектирование давления со структурами ZnO в матрице ПДМС с помощью спектроскопии электрического импеданса

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 9
  • 2269
  • Страницы: 157-162

Сенсоры давления и температуры на основе мембраны ZnO-ПДМС для носимой электроники

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 22
  • 1043
  • Страницы: 63-67

Сенсорика кислот и щелочей на основе нитевидных нанокристаллов кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 5
  • 259
  • Страницы: 145-151

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: