Шмидт Наталия Михайловна

Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 6839
  • Страницы: 45-48

Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 5
  • 6545
  • Страницы: 71-80

Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 24
  • 2657
  • Страницы: 70-76

Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 16
  • 2267
  • Страницы: 85-89

Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия

Новые материалы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 17
  • 2300
  • Страницы: 182-187

Конкурирующие процессы в нитридных твёрдых растворах светодиодов с множественными квантовыми ямами

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 2
  • 245
  • Страницы: 177-181

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: