Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Шмидт Наталия Михайловна
Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 8766
- Страницы: 45-48
Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения
- Год: 2013
- Выпуск: 2
- 7
- 8468
- Страницы: 71-80
Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 32
- 4753
- Страницы: 70-76
Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 18
- 4217
- Страницы: 85-89
Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 29
- 4116
- Страницы: 182-187
Конкурирующие процессы в нитридных твёрдых растворах светодиодов с множественными квантовыми ямами
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 7
- 2182
- Страницы: 177-181