НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки
Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
Найти
О журнале
Меню
Редакционная коллегия
Главный редактор
Архив выпусков
Авторам
Меню
Содержание и структура статьи
Оформление статьи
Этика научных публикаций
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Аннотация к статье
Список литературы
Оформление рисунков
Лицензионное соглашение
График выхода журналов
Искусственный интеллект
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
Шмидт Наталия Михайловна
Подать статью
Последние выпуски
2024
,
Том 17
Выпуск 4
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 3.2
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 3.1
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 3
Полный текст
Шмидт Наталия Михайловна
Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN
Приборы и техника физического эксперимента
Басалкевич Т.М.
Тальнишних Н.А.
Шмидт Н.П.
Год: 2012
Выпуск: 3
0
6839
Страницы: 45-48
Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения
Приборы и техника физического эксперимента
Сидоров В.Г.
Шмидт Н.П.
Год: 2013
Выпуск: 2
5
6545
Страницы: 71-80
Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах
Физическая электроника
Шабунина Е.И.
Иванов А.Е.
Тальнишних Н.А.
Карташова А.П.
Полоскин Д.С.
Шмидт Н.П.
Закгейм А.Л.
Черняков А.Е.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.2
24
2657
Страницы: 70-76
Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм
Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Тальнишних Н.А.
Иванов А.Е.
Шабунина Е.И.
Шмидт Н.П.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.3
16
2267
Страницы: 85-89
Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия
Новые материалы
Семенов А.
Нечаев Д.B.
Березина Д.
Гусева Ю.А.
Кулагина М.М.
Смирнова И.П.
Задиранов Ю.М.
Трошков С.
Шмидт Н.П.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.3
17
2298
Страницы: 182-187
Конкурирующие процессы в нитридных твёрдых растворах светодиодов с множественными квантовыми ямами
Физическая электроника
Иванов А.Е.
Черняков А.Е.
Тальнишних Н.А.
Шабунина Е.И.
Шмидт Н.П.
Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.2
2
245
Страницы: 177-181
Сообщить автору об опечатке:
Адрес страницы с ошибкой:
Текст с ошибкой:
Ваш комментарий или корректная версия: