Шалыгин Вадим Александрович
Шалыгин Вадим Александрович
Место работы
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
195251, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул., 29

Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 8728
  • Страницы: 25-30

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам 15-й Всероссийской молодежной конференции)

Хроника
  • Год: 2014
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 8309
  • Страницы: 157-163

Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 4
  • 86
  • 5607
  • Страницы: 32-43

Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 66
  • 3700
  • Страницы: 12-19

Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 27
  • 3619
  • Страницы: 68-76

Влияние разогрева и дрейфа электронов в электрическом поле на поглощение и преломление терагерцового излучения в электронном антимониде индия

Физическая электроника
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4
  • 1
  • 113
  • Страницы: 114-126