Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки

В данной работе представлены результаты исследования морфологических и оптических свойств нитевидных нанокристаллов InGaN, выращенных с использованием двух различных температурных режимов.  Установлено, что постепенное повышение температуры подложки в процессе роста позволяет получать длинные морфологически однородные нитевидные нанокристаллы со структурой ядро-оболочка.  Фотолюминесценция таких нитевидных нанокристаллов находится в зеленом диапазоне и в три раза выше, чем у аналогичных структур, выращенных в стационарном температурном режиме.