Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Работа посвящена исследованию возможности увеличения интенсивности низкотемпературной терагерцовой люминесценции в полупроводниковых структурах с объёмными эпитаксиальными слоями n-GaAs, легированными донорной примесью кремния, при межзонной оптической накачке. Такое увеличение может быть реализовано за счет ускоренного опустошения основного примесного уровня стимулированным излучением ближнего инфракрасного диапазона, которое создается в той же самой структуре. Для организации вынужденного межзонного излучения были изготовлены образцы в геометрии оптического резонатора полного внутреннего отражения. Исследовалась фотолюминесценция в ближнем инфракрасном и терагерцовом диапазонах при температуре жидкого гелия. Продемонстрирована спонтанная и стимулированная фотолюминесценция с участием примесных состояний в ближнем инфракрасном диапазоне, измерена эволюция спектров от мощности оптической накачки. Наличие в структуре излучения терагерцового диапазона с участием донорных состояний позволит в дальнейшем исследовать влияние на него стимулированного излучения ближнего инфракрасного диапазона. Полученные результаты могут быть использованы при  разработке новых полупроводниковых источников терагерцового излучения.