Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

Атомно-слоевое плазменно-стимулированное осаждение является одним из перспективных методов для формирование n-GaP слоев при низких температурах на подложках p-Si для последующего использования в качестве фотопреобразовательных структур гетероперехода n-GaP/p-Si. В данной работе, было исследовано влияние остовых параметров на электрофизические свойства n-GaP. Согласно измерениям спектроскопии полной проводимости и вольт-амперных характеристик показано, что энергия активации проводимости в GaP слое уменьшается с 0.08 эВ до 0.04 эВ с увеличением потока фосфина и времени его взаимодействия с подложкой во время шага осаждения фосфора, а при добавлении дополнительного потока силана на шаге осаждения фосфора она значительно уменьшается и становится меньше 0.02 эВ. Это приводит к  значительному улучшению производительности солнечного элемента ITO/n-GaP/p-Si вследствие уменьшения перегиба на ВАХ, что приводит к увеличению тока короткого замыкания и фактора заполнения. Кроме того, во всех образцах был обнаружен глубокий дефектный уровень с энергией активации E_a = 0.50–0.55 eV и сечением захвата σ_T = (1–10)·10⁻¹⁶ cm².