Харин  Никита  Юрьевич
Харин Никита Юрьевич
Место работы
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Санкт-Петербург, Российская Федерация

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 39
  • 3883
  • Страницы: 14-19

Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 214
  • 4477
  • Страницы: 29-38

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 21
  • 2723
  • Страницы: 143-148

Температурное поведение квантово-каскадного лазера с селективным кольцевым резонатором, сформированным за счет травления дифракционной решетки с переменной глубиной

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 16
  • 2003
  • Страницы: 71-77