Моисеев Константин Дмитриевич
  • Место работы
    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
  • Санкт-Петербург, Российская Федерация

Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 8
  • 2907
  • Страницы: 191-195

Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 26
  • 1730
  • Страницы: 77-82

Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb–светодиодов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 3
  • 125
  • Страницы: 105-110

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: