Моисеев  Константин  Дмитриевич
Моисеев Константин Дмитриевич
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация

Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 9
  • 4227
  • Страницы: 191-195

Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1-ySby/InAsSbP с y = 0,07−0,12

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 27
  • 2780
  • Страницы: 77-82

Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb-светодиодов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 14
  • 3001
  • Страницы: 105-110