Салий  Роман  Александрович
Салий Роман Александрович
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация

Влияние компенсирующих слоев GaP на характеристики фотопреобразователей GaAs со встроенными массивами квантовых точек InGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 18
  • 4380
  • Страницы: 411-415

Эпитаксиальный рост AlGaAs из Bi-содержащих расплавов

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 16
  • 3737
  • Страницы: 17-21

Влияние концентрации Al на пироэлектрические свойства твердых растворов AlGaInP2

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 1
  • 148
  • Страницы: 53-56