Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Воробьев Леонид Евгеньевич
Время жизни носителей заряда в сверхрешетках InAs / GaSb
- Год: 2013
- Выпуск: 2
- 643
- 9964
- Страницы: 15-21
Фотоиндуцированное поглощение в структурах с квантовыми точками Ce/Si
- Год: 2011
- Выпуск: 3
- 0
- 8819
- Страницы: 46-50
Рекомбинация и захват электронов в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 8816
- Страницы: 9-15
Оптическое поглощение в квантовых точках Ge/Si при разных степенях заполнения состояний точек
- Год: 2012
- Выпуск: 4
- 0
- 9034
- Страницы: 9-15
Излучениеближнего и дальнего инфракрасного диапазона из квантовых ям GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении
- Год: 2013
- Выпуск: 4
- 429
- 9319
- Страницы: 109-114
Примесная терагерцовая люминесценция в наноструктурах с квантовыми ямами при межзонном фотовозбуждении
- Год: 2016
- Выпуск: 4
- 88
- 8809
- Страницы: 56-65
Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb
- Год: 2016
- Выпуск: 4
- 116
- 8914
- Страницы: 66-76
Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN
- Год: 2011
- Выпуск: 2
- 0
- 8557
- Страницы: 25-30