Воробьев Леонид Евгеньевич

Время жизни носителей заряда в сверхрешетках InAs / GaSb

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 643
  • 8048
  • Страницы: 15-21

Фотоиндуцированное поглощение в структурах с квантовыми точками Ce/Si

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2011
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 6993
  • Страницы: 46-50

Рекомбинация и захват электронов в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 6843
  • Страницы: 9-15

Оптическое поглощение в квантовых точках Ge/Si при разных степенях заполнения состояний точек

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 7114
  • Страницы: 9-15

Излучениеближнего и дальнего инфракрасного диапазона из квантовых ям GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 427
  • 7483
  • Страницы: 109-114

Примесная терагерцовая люминесценция  в наноструктурах с квантовыми ямами  при межзонном фотовозбуждении

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 87
  • 6986
  • Страницы: 56-65

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 114
  • 7000
  • Страницы: 66-76

Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 6704
  • Страницы: 25-30

Лазерные диоды для фотодинамической терапии

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7063
  • Страницы: 80-84

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: