Тальнишних Надежда Андреевна
  • 197376, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, 5

Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 6558
  • Страницы: 45-48

Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 23
  • 2376
  • Страницы: 70-76

Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 15
  • 2008
  • Страницы: 85-89

Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 25
  • 2420
  • Страницы: 170-175