Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
Авторы:
Аннотация:
В работе представлены результаты исследования влияние температуры подложки на структурные и оптические свойства наноструктур InGaN, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что тройной раствор InGaN с химическим составом в зоне разрыва смешиваемости может быть синтезирован в азот-обогащенных ростовых условиях при температурах
подложки от 600 до 670 °C. Полученные результаты могут представлять интерес для создания оптоэлектронных устройств на кремниевых подложках в видимом диапазоне.