Анализ характеристик InGaAs/GaAs микродисковых лазеров перенесенных на кремниевую подложку
Авторы:
Аннотация:
В данной работе исследуются характеристики микродисковых лазеров, перенесенных на кремниевую подложку. Перенос микродисковых лазеров на кремниевую подложку снижает их тепловое сопротивление, что приводит к улучшению порога генерации, выходной оптической мощности, динамических характеристик и энергопотребления в микродисковых лазерах диаметром 19 мкм и 31 мкм.