Статьи по ключевому слову "карбид кремния"

Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 25
  • 669
  • Страницы: 9-20

Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 21
  • 1563
  • Страницы: 39-43

Численное моделирование распределения температурного поля в зоне роста графена, выращиваемого на SiC подложках

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 1632
  • Страницы: 309-314

Эволюция кристаллической микроструктуры гибридных подложек SiC/Si во время роста методом замещения атомов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 1555
  • Страницы: 113-118

Самоорганизация структуры пористого карбида кремния под внешними воздействиями

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 1553
  • Страницы: 79-83

Диффузионно‐реакционная модель взаимодействия силицидообразующего металла с карбидом кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 5980
  • Страницы: 64-71

Моделирование распыления поверхности карбида кремния при бомбардировке ионами и кластерами

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5750
  • Страницы: 67-74