Статьи по ключевому слову "карбид кремния"

Формирование графеноподобной проводящей пленки на поверхности карбида кремния методом лазерной деструкции кремния

Физическая электроника
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 37
  • Страницы: 169-172

Формирование метаматериалов на поверхности карбида кремния методом плазменной обработки

Физическая электроника
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 37
  • Страницы: 161-164

Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 56
  • 4214
  • Страницы: 9-20

Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 41
  • 4385
  • Страницы: 39-43

Численное моделирование распределения температурного поля в зоне роста графена, выращиваемого на SiC подложках

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 31
  • 4962
  • Страницы: 309-314

Эволюция кристаллической микроструктуры гибридных подложек SiC/Si во время роста методом замещения атомов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 16
  • 4497
  • Страницы: 113-118

Самоорганизация структуры пористого карбида кремния под внешними воздействиями

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 13
  • 4543
  • Страницы: 79-83

Диффузионно‐реакционная модель взаимодействия силицидообразующего металла с карбидом кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 8712
  • Страницы: 64-71

Моделирование распыления поверхности карбида кремния при бомбардировке ионами и кластерами

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 8659
  • Страницы: 67-74