Статьи по ключевому слову "имплантация"
Образование устойчивых радиационных повреждений при последовательной ионной бомбардировке альфа-оксида галлия
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 2
- 11
- 750
- Страницы: 98-106
Влияние имплантации ионов Ar+ и Cd+ на состав и электронную структуру монокристаллического теллурида цинка
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 2
- 9
- 766
- Страницы: 84-97
Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 22
- 5116
- Страницы: 20-24
Особенности накопления структурных нарушений при имплантации ионов разных масс в альфа-оксид галлия при малых уровнях повреждения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 4
- 41
- 6157
- Страницы: 42-49
Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 15
- 5870
- Страницы: 162-166
Энергетический спектр и свойства сульфида свинца с имплантированным кислородом
- Год: 2015
- Выпуск: 1
- 410
- 10428
- Страницы: 9-20
Методика расчета молекулярного эффекта при ионном облучении на основе пороговой плотности каскадов смещений
- Год: 2009
- Выпуск: 2
- 0
- 9812
- Страницы: 29-33
Моделирование первичных радиационных дефектов в карбиде кремния при бомбардировке ионами и кластерами углерода
- Год: 2010
- Выпуск: 2
- 0
- 10073
- Страницы: 17-23
Моделирование распыления поверхности карбида кремния при бомбардировке ионами и кластерами
- Год: 2011
- Выпуск: 2
- 0
- 9851
- Страницы: 67-74
Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 0
- 10510
- Страницы: 55-61
Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 0
- 10161
- Страницы: 49-55
Особенности образования дефектов в кремнии при бомбардировке молекулярными ионами
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 10507
- Страницы: 64-70