Журавлев Константин Сергеевич
  • Место работы
    Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
  • г. Новосибирск, Российская Федерация

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 18
  • 2225
  • Страницы: 33-38

Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 15
  • 2127
  • Страницы: 62-66

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 20
  • 1154
  • Страницы: 43-48