Журавлев  Константин  Сергеевич
Журавлев Константин Сергеевич
Место работы
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
г. Новосибирск, Российская Федерация

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 22
  • 4160
  • Страницы: 33-38

Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 21
  • 3940
  • Страницы: 62-66

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 26
  • 3327
  • Страницы: 43-48