Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Малин Тимур Валерьевич
Место работы
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
г. Новосибирск, Российская Федерация
Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 23
- 4498
- Страницы: 33-38
Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 21
- 4241
- Страницы: 62-66
Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 3704
- Страницы: 43-48