Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Малин Тимур Валерьевич
Место работы
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
г. Новосибирск, Российская Федерация
Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 22
- 4160
- Страницы: 33-38
Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 21
- 3940
- Страницы: 62-66
Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 26
- 3327
- Страницы: 43-48