НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
ru Русский
Версия для слабовидящих
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
Автор Осинных Игорь Васильевич
Подать статью
Последние выпуски
Осинных Игорь Васильевич
  • Место работы
    Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет
  • г. Новосибиpск, Российская Федерация

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
Осинных И.В. Малин Т.В. Журавлев К.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 19
  • 2603
  • Страницы: 33-38

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Осинных И.В. Малин Т.В. Милахин Д.С. Журавлев К.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 1575
  • Страницы: 43-48

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: