Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Осинных Игорь Васильевич
Место работы
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет
г. Новосибиpск, Российская Федерация
Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 23
- 4497
- Страницы: 33-38
Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 3702
- Страницы: 43-48