Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Лебедев Александр Александрович
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Численное моделирование распределения температурного поля в зоне роста графена, выращиваемого на SiC подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 30
- 4653
- Страницы: 309-314
Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 38
- 4029
- Страницы: 39-43
Теоретическое исследование взаимодействия макромолекулы с квазисвободным и эпитаксиальным графеном, сформированном на политипах карбида кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3
- 211
- 4380
- Страницы: 87-94
Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1
- 53
- 3804
- Страницы: 9-20