НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторКарасёв Платон Александрович
    Подать статью
    Последние выпуски
    Карасёв Платон Александрович
    Карасёв Платон Александрович
    Должность
    Профессор
    Место работы
    Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Ученая степень
    доктор физико-математических наук
    Ученое звание
    доцент
    195251, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул., 29
    II уч.корп., ауд. 413
    Публикации
    Scopus ID
    10041592700
    РИНЦ ID
    33622
    Researcher ID
    P-6861-2015
    Orcid ID
    https://orcid.org/0000-0003-2511-0188

    Методика расчета молекулярного эффекта при ионном облучении на основе пороговой плотности каскадов смещений

    Физика конденсированного состояния
    Карасёв П.А.Кучумова Т.М.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9291
    • Страницы: 29-33

    Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами

    Физика конденсированного состояния
    Карабешкин К.В.Карасёв П.А.Беляков В.С.Архипов А.В.Титов А.И.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9989
    • Страницы: 55-61

    Особенности образования дефектов в кремнии при бомбардировке молекулярными ионами

    Физическая электроника
    Карасёв П.А.Карабешкин К.В.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 3
    • 0
    • 9970
    • Страницы: 64-70

    Влияние температуры на свойства DLC-пленок и на рост сэндвич-структуры DLC-Ni:C

    Физика конденсированного состояния
    Шубина Е.Н.Карасёв П.А.Мишин М.В.Протопопова В.С.Виноградов А.Я.Карасёв Н.Н.Архипов А.В.Шахмин А.Л.Подсвиров О.А.Титов А.И.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 4
    • 511
    • 10529
    • Страницы: 115-122

    Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами

    Физика конденсированного состояния
    Карасёв П.А.Титов А.И.Улла М.В.Джурабекова Ф.Куронен А.Нордлунд К.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9654
    • Страницы: 49-55

    Особенности получения изотопа меди-64 на циклотроне МГЦ-20 Санкт-Петербургского политехнического университета

    Ядерная физика
    Тиба А.Карасёв П.А.Бердников Я.А.Егоров А.Ю.Миронова С.Ю.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 2
    • 58
    • 7831
    • Страницы: 56-63

    Ионно-индуцированное формирование наноструктур золота на пленке из полиметилметакрилата

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Студзинский В.М.Карабешкин К.В.Кондратьева А.С.Федоренко Е.Д.Карасёв П.А.Мишин М.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 28
    • 5844
    • Страницы: 69-74

    Фотокаталитические свойства плазмонного нанокомпозита NiO — золото

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Кондратьева А.С.Комаревцев И.М.Эннс Я.Б.Казакин А.Н.Питиримова Е.А.Студзинский В.М.Мишин М.В.Карасёв П.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 22
    • 4688
    • Страницы: 310-315

    Особенности накопления структурных нарушений при имплантации ионов разных масс в альфа-оксид галлия при малых уровнях повреждения

    Физика конденсированного состояния
    Клевцов А.И.Карасёв П.А.Карабешкин К.В.Титов А.И.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 4
    • 37
    • 5501
    • Страницы: 42-49

    Размерные эффекты при молекулярно-динамическом моделировании падения иона фуллерена на поверхность кремния

    Математическое моделирование физических процессов
    Карасёв К.П.Стрижкин Д.А.Карасёв П.А.Титов А.И.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 4
    • 27
    • 5292
    • Страницы: 76-85

    Микроэлектромеханический газовый датчик резистивного типа для определения низких концентраций сероводорода

    Физическая электроника
    Лаздин И.А.Кондратьева А.С.Комаревцев И.М.Эннс Я.Б.Казакин А.Н.Карасёв П.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 22
    • 3335
    • Страницы: 182-185

    Трансформация структуры тонких металлических пленок при активировании их способности к низковольтной эмиссии электронов

    Физическая электроника
    Бизяев И.С.Карасёв П.А.Карабешкин К.В.Габдуллин П.Г.Архипов А.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 2
    • 31
    • 5067
    • Страницы: 80-93

    Долговременная температурная стабильность многослойных электродов на основе золота для работы в газовых датчиках

    Физическая электроника
    Лаздин И.А.Кондратьева А.С.Комаревцев И.М.Эннс Я.Б.Казакин А.Н.Карасёв П.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 3
    • 842
    • Страницы: 155-158

    Образование устойчивых радиационных повреждений при последовательной ионной бомбардировке альфа-оксида галлия

    Физическая электроника
    Клевцов А.И.Карасёв П.А.Титов А.И.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 2
    • 1
    • 71
    • Страницы: 98-106