Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии
В работе представлена усовершенствованная технология формирования эпитаксиальных массивов нитевидных нанокристаллов (ННК) InAsP, синтезированных на подложках кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии; исследованы оптические и электрофизические свойства этих ННК. На основе выращенных структур создан прототип фотодиода коротковолнового инфракрасного диапазона (1,2 – 1,9 мкм). Промоделированы зонные диаграммы фотодиода. Экспериментально исследованы температурные зависимости вольтамперных характеристик и спектральной чувствительности этого прототипа. Установлено, что внешняя квантовая эффективность фотопреобразования излучения с длиной волны 1380 нм составила примерно 0,25 % при температуре 100 K.