Методами энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, оптического отражения и фотолюминесценции исследованы свойства барьерных слоев InAsSbP в гетероструктурах (ГС) InAsSb/InAsSbP и их влияние на  характеристики ГС. Обнаружено отклонение химического состава слоев от заданного значения, а также наличие акцепторных состояний в их запрещенной зоне. Эти особенности определяют природу излучательных  переходов в ГС.